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安德烈Kovalskiy

安德烈Kovalskiy

Professor

物理、工程和天文学

 

Ph.D. 固态物理-乌克兰利沃夫国立大学伊万·弗兰科

B.Sc. and M.Sc. 无线电电子材料工程学位-伊万·弗兰科国立大学 利沃夫大学，乌克兰

2011年加入本署. 2013年获奖人Richard M. 霍金斯奖. 

Co-authored 121 journal papers, 86 peer-reviewed; 3 chapters in books; 6 patents and inventions; 230+ conference contributions; 1270+ citations; h-index 22 (Google Scholar 引用数)，自2004年起h-index 18 (Scopus)

科学专业知识包括:

  • 玻璃和非晶薄膜的结构
  • 表面科学在非晶固体中的应用
  • 光和电离辐射与非晶固体的相互作用
  • 金属在玻璃基质中的光溶解
  • 眼镜上的光刻技术
  • 电子束纳米光刻在玻璃上
  • 非晶固体的x射线光电子能谱
  • 纳米加工(碳纳米管CVD)
  • 薄膜技术

目前主要研究方向为:非氧化物玻璃的原子和电子结构 and amorphous thin films (EXAFS, XANES, XPS, Raman, positron annihilation); structural dynamics in glasses; interaction of light and ionizing radiation with amorphous solids; surface science in application to solid state disordered media; gray scale photolithography and electron-beam nanostructuring on glasses; amorphous optical IR materials for micro- 和纳米光子学.

近期研究项目:

  • 2017年至今:项目DMR-1725188“MRI:正电子湮灭的获取 用于增强材料表征的寿命谱仪" -国家科学 基金会Co-PI
  • 2014 -目前:项目DMR-1409160“RUI:光诱导结构的辐射选择性 共价键合玻璃薄膜的转变" -国家科学基金会， PI

书中的章节:

  1. Jain H.科瓦尔斯基A., Vlcek M. 光刻用硫系玻璃抗蚀剂. In book: 硫族化物眼镜. 制备，性质和应用/编辑. J.-L. Adam and X. Zhang. 牛津-剑桥-费城-新德里:伍德黑德出版社. 2014, p. 562-596.
  2. Matkovskii A.O., Shpotyuk O.I., Vakiv M.M.科瓦尔斯基A.P. Radiation-stimulated变化 材料性质. 硫系玻璃半导体. 在书中:效果 电子材料的电离辐照/编辑. A.O. Matkovskii. Lviv: Svit. 1994, p. 158-180. (in Russian)
  3. Shpotyuk O.I.科瓦尔斯基A.P., Sawicki I.V.马特科夫斯基A.O. 光化学和辐射化学 硫系玻璃半导体的转化. 在书中:材料和设备 用于全息图注册/编辑. V.A. Barachevsky. 列宁格勒:列宁格勒国立大学. 1986, p. 12-17. (in Russian).

在同行评审期刊发表论文86篇，其中11篇与本科生合作 students):

  1. Golovchak R., Nazabal V., Bureau B., Oelgoetz J.科瓦尔斯基A., Jain H. 化学的顺序 在Ga或Sb修饰的硫化锗玻璃周围的化学计量:高分辨率 XPS和拉曼研究. 非结晶固体杂志，卷. 499, 2018, p. 237-244.
  2. Shpotyuk M.科瓦尔斯基A.Golovchak R., Shpotyuk O. γ辐照诱导的现象学 硫系半导体玻璃光学性质的变化:个案研究 二元砷硫化物. 非结晶固体杂志，卷. 498, 2018, p. 315-322.
  3. Kovalskiy A., White M., Allen J.Golovchak R., Oelgoetz J., Shpotyuk O., Palka K., Slang S., Vlcek M. 无机-有机薄膜复合材料的光响应 硫族化物眼镜. AIP会议论文集，卷. 1981, 2018, 020030 (1-4).
  4. Kovalskiy A., Vlcek M., Palka K., Buzek J.约克·维恩格·J., Oelgoetz J., Golovchak R., Shpotyuk O., Jain H. 硫化砷表面转化的结构成因 紫外线照射下的薄膜. 应用表面科学，卷. 394, 2017, p. 604-612.
  5. Shpotyuk O., Bujnakova Z., Balaz P., Ingram A., Demchenko P.科瓦尔斯基A., Vlcek M.Shpotyuk Ya., Cebulski J., Dziedzic A. pvp稳定的纳米结构效应 四砷四硫as444纳米复合材料. 材料化学与物理， vol. 186, 2017, p. 251-260.
  6. Mugoni C., Jain H., Montrosi M.， Montecchi M科瓦尔斯基A.C .. Structural 偏磷酸锂铜玻璃导电性的起源. Journal 非结晶固体，卷. 447, 2016, p. 91-97.
  7. Trimble J.Golovchak R., Oelgoetz J., Brennan C.科瓦尔斯基A. 结构描述 掺Er2O3的氟磷酸锡玻璃. “玻璃物理与化学” ——《欧洲玻璃科学与技术杂志B辑. 57 (1), 2016, p. 27-31.
  8. Shpotyuk O.科瓦尔斯基A., Trimble J., Vlcek M.Shpotyuk Ya.Koziukhin S. Intrinsic 低温淬火砷trisulï玻璃的相分离. Journal of 非结晶固体，卷. 430, 2015, p. 16-20.
  9. Cook J., Slang S.Golovchak R., Jain H., Vlcek M.科瓦尔斯基A. 结构特点 二元AsxS100-x硫系玻璃体系的自旋镀膜薄膜，thin Solid Films, vol. 589, 2015, p. 642-648.
  10. Slang S., Palka K., Loghina L.科瓦尔斯基A., Jain H., Vlcek M. 溶解机理 As-S硫族玻璃在正丁胺中的反应及其对自旋结构的影响 涂覆层. 非结晶固体杂志，卷. 426, 2015, p. 126-131. 
  11. Golovchak R.,  Choi Y. G.， Kozyukhin S.Chigirinsky Yu.科瓦尔斯基A., Xiong-Skiba P.,  Trimble J.,  Pafchek R.,  Jain H. 氧掺入GST相变 存储器矩阵，应用表面科学，卷. 332, 2015, p. 533-541.
  12. Golovchak R., Lucas P., Oelgoetz J.科瓦尔斯基A.约克·维恩格·J.C., Shpotyuk O., Feygenson M., Neuefeind J., Jain H. 中等范围的秩序和结构 通过FSDP分析，材料化学和 Physics, vol. 153, 2015, p. 432-442.
  13. Xu S.W., Wang R.P.B.科瓦尔斯基A., Miller A.C., Jain H. Chemical 用高分辨率x射线光电子能谱探测geexasyse1 -x+y玻璃的有序度 应用物理杂志，卷. 115 (8), 2014, 083518.
  14. Kovalskiy A.Golovchak R., Vlcek M., Jain. H. 的电子和原子结构 具有高分辨率XPS的非晶薄膜:应用实例 & limitations, 非结晶固体杂志，卷. 377, 2013, p. 155-158. 
  15. Golovchak R.科瓦尔斯基A., Shpotyuk O., Jain H. As-rich的结构组织 硒化眼镜. 固态通信，卷. 165, 2013, p. 22-26.
  16. Kovalskiy A., Vlcek M., Palka K.Golovchak R., Jain. H. 的波长依赖性 As2S3薄膜的光结构转换，物理学报，卷. 44, 2013, p. 75-81. 
  17. Palka K., Vlcek M.科瓦尔斯基A. As50Se50薄膜溶解动力学研究 在胺基溶液中，物理学报，卷. 44, 2013, p. 114-119.
  18. York-Winegar J., Harper T., Brennan C., Oelgoetz J.科瓦尔斯基A.， SnF2-SnO-P2O5的结构 眼镜，物理学报，卷. 44, 2013, p. 159-165.
  19. Palumbo V.科瓦尔斯基A., Jain H., Huey B. D. 银光溶的直接研究 原子力显微镜下三硫化砷薄膜的动力学和可逆性 纳米技术,卷. 24 (12), 2013, 125706-1-7. 
  20. Choi Y. G.科瓦尔斯基A., Cheong B.-K., Jain H. 局部结构在相位中的作用 更换GeTe薄膜. 化学物理通讯，卷. 534, 2012, p. 58-61.
  21. Sati D.科瓦尔斯基A.Golovchak R., Jain H. SbGe40-xSe60玻璃周围的结构 2.67平均配位数，《365bet》，卷. 358, 2012, p. 163-167.
  22. Golovchak R., Shpotyuk O., Iovu M.科瓦尔斯基A., Jain H. 拓扑学和化学顺序 AsxGexSe1-2x玻璃:高分辨率x射线光电子能谱研究 非结晶固体杂志，卷. 357, 2011, p. 3454-3460.  
  23. Golovchak R., Kozdras A., Shpotyuk O., Gorecki Cz.科瓦尔斯基A., Jain H. 与温度有关的 As40Se60玻璃的结构弛豫，物理快报A卷. 375, 2011, p. 3032–3036.
  24. Golovchak R.科瓦尔斯基A., Shpotyuk O., Jain H. 在寻找能源景观 网络眼镜，应用物理通讯，卷. 98, 2011, p. 171905-1-3.
  25. Golovchak R., Shpotyuk O.， Kozyukhin S., Shpotyuk M.科瓦尔斯基A., Jain H. Short-range 基于x射线光电子能谱的富s锗s玻璃的有序演化 非结晶固体，卷. 357, 2011, p. 1797–1803.
  26. Takats V., Miller A. C., Jain H.科瓦尔斯基A.， Kokenyesi S. 相互扩散的研究 高分辨率x射线光电子能谱分析Sb/As2S3纳米层状结构; 固体薄膜，卷. 519 (10), 2011, p. 3437-3442.
  27. Koziukhin S.Golovchak R.科瓦尔斯基A., Shpotyuk O., Jain H. 价带结构 二硫系玻璃半导体的高分辨率XPS，半导体， vol. 45 (4), 2011, p. 423-426.
  28. Kovalskiy A., Ganjoo A., Khalid S., Jain H. 结合高分辨率XPS和EXAFS Ag在a-As2S3薄膜中的光溶解研究，非结晶固体学报， vol. 356 (44-49), 2010, p. 2332-2336.
  29. Zhang Y., Yang Y., Zheng J., Chen G., Cheng C., Hwang J. C. M., Ooi B. S., Kovalskiy A., Jain H. 界面玻璃对丝网印刷电性能的影响 硅太阳能电池的银厚膜触点. 固体薄膜，卷. 518(24)，增刊. 1 (2010), p. e111-e113. 
  30. Golovchak R., Shpotyuk O., McCloy J. S., Riley B. J., Windisch C.F., Sundaram S. K., Kovalskiy A., Jain H. 基于拉曼光谱的均相As-S玻璃结构模型 光谱和高分辨率XPS. 哲学杂志，卷. 90 (34), 2010, p. 4489–4501.
  31. Kovalskiy A., Vlcek M., Cech J., Heffner W. R., Waits C. M., Dubey M., Jain H. Chalcogenide 玻璃电子束和光刻胶超薄灰度图案. 微/纳米光刻学报， MEMS，和MOEMS，卷. 8, 2009, p. 043012-1-11.
  32. Mitkova M.科瓦尔斯基A., Jain H.，坂口Y. 光氧化对光扩散的影响 银在锗硫系玻璃. 光电与高级学报 材料、卷. 11, 2009, p. 1899-1906. 
  33. Kovalskiy A., Jain H., Mitkova M. 银光扩散过程中化学结构的演化 形成硫化物玻璃薄膜. 非结晶固体杂志，卷. 355, 2009, p. 1924-1929.
  34. Golovchak R., Shpotyuk O.Koziukhin S.科瓦尔斯基A., Miller A.C., Jain H. Structural 高分辨率x射线光电子能谱法研究富硒锗硒玻璃. 应用物理杂志，卷. 105, 2009, p. 103704-1-7. 
  35. Kovalskiy A., Neilson J.R., Miller A.C., Miller F.C., Vlcek M., Jain H. Comparative 材料表面电子与光致结构转化的研究 As35S65非晶薄膜. 固体薄膜，卷. 516, 2008, p. 7511-7518.
  36. Kovalskiy A., Miller A., Jain H., Mitkova M. x射线诱导的原位测量 银扩散到Ge30Se70薄膜中. 美国陶瓷学会杂志， vol. 91 (3), 2008, p. 760-765.
  37. Golovchak R., Shpotyuk O.科瓦尔斯基A., Miller A., Cech J., Jain H. Coordination 铋修饰砷硒化玻璃的缺陷:高分辨率x射线光电子 光谱测量. 物理评论B卷. 177, 2008, p. 172201-1-4. (Published 也发表在《365bet》上 & Technology).
  38. Golovchak R., Shpotyuk O., Kozdras A., Vlcek M., Bureau B.科瓦尔斯基A., Jain H. 短碳链As-Se玻璃的长期物理老化. Journal of 物理学:凝聚态物质，卷. 20 (24), 2008, p. 245107-1-7.
  39. Shpotyuk O.Golovchak R., Jain H.科瓦尔斯基A. 辐射引起的功能 用高分辨率XPS探测硫系玻璃. 玻璃物理与化学: 欧洲玻璃科学与技术杂志:B部分，卷. 49, 2008, p. 314-316.
  40. Golovchak R.科瓦尔斯基A., Miller A., Jain H., Shpotyuk O. 富硒As-Se的结构 高分辨率光电子能谱玻璃. 物理评论B卷. 76 (12), 2007, p. 125208-1-7.
  41. Kovalskiy A., Jain H., Neilson J.R., Vlcek M., Waits C.M., Churaman W., Dubey M. On 含银As2S3薄膜灰度图案化的机理. Journal 固体物理与化学，卷. 68, 2007, p. 920-925.
  42. Neilson J.R.科瓦尔斯基A., Vlcek M., Jain H., Miller F. 纳米光栅的制备 在硫化砷薄膜中. 非结晶固体杂志，卷. 353, 2007, p. 1427-1430. 
  43. Shpotyuk O.科瓦尔斯基A.Golovchak R., Zurawska A., Jain H. 辐射诱导的缺陷 用光谱学、XPS和PALS方法对硫系玻璃进行了表征. 物理状态固体C卷. 4, 2007, p. 1147-1150. 
  44. Balitska V.科瓦尔斯基A., Shpotyuk O., Vakiv M. 辐射敏感的不稳定性效应 硫族化物眼镜. 辐射测量，vol. 42, 2007, p. 941-943.
  45. Shpotyuk O., Vakiv M.B.科瓦尔斯基A.Golovchak R. 的问题 某些三元硫系玻璃中辐射诱导光学效应的弛豫. 半导体物理，量子电子学 & 光电子学,卷. 10 (3), 2007, p. 23-27.
  46. Kovalskiy A., Jain H., Miller A.Golovchak R., Shpotyuk O. 可逆性的研究 γ诱导玻璃体Ge23的结构转变.5Sb11.8S64.7 ×高分辨率 x射线光电子能谱学. 物理化学学报B卷. 110, 2006, p. 22930-22934.
  47. Kovalskiy A., Vlcek M., Jain H., Fiserova A., Waits C.M., Dubey M. 的发展 灰度光刻用硫系玻璃光刻胶. 非晶体杂志 Solids, vol. 352, 2006, p. 589-594.
  48. Jain H.科瓦尔斯基A., Miller A. 银光扩散初期的XPS研究 在Ag/a-As2S3薄膜中. 非结晶固体杂志，卷. 352, 2006, p. 562-566.
  49. Shpotyuk O.科瓦尔斯基A.菲利佩基·J.卡维茨基T., Popescu M. 正电子湮没 寿命光谱法作为网络玻璃自由体积概念的实验探针. 玻璃的物理和化学:欧洲玻璃科学与技术杂志; Part B, vol. 47, 2006, p. 131-135.
  50. Kozdras A.菲利佩基·J., Hyla M., Shpotyuk O.科瓦尔斯基A., Szymura S. Nanovolume 玻璃状As3Se3中的正电子陷阱. 非结晶固体杂志，卷. 351, 2005, p. 1077-1081.
  51. Shpotyuk O.科瓦尔斯基A.卡维茨基T.Golovchak R. 阈值恢复效果 在ï§辐照的硫系玻璃中. 非结晶固体杂志，卷. 351, 2005, p. 993-997.
  52. Kavetskyy T., Shpotyuk O.科瓦尔斯基A., Tsmots V. 的结构化学方法 ï的组合依赖? ï硫系玻璃中§诱导的光学效应 Ge-Sb-S系统. 光电子学与先进材料杂志，卷. 5, 2005, p. 2299-2308.
  53. Kozdras A., Shpotyuk O.科瓦尔斯基A.菲利佩基·J. 修正正电子湮灭 玻璃样As2Se3的模型. 波兰物理学报A卷. 107, 2005, p. 832-836.
  54. Kovalskiy A. 三元体系中辐射诱导效应的组成趋势 硫系玻璃. 辐射效应 & 固体缺陷，卷. 158, 2003, p. 391-397.
  55. Shpotyuk O.科瓦尔斯基A.菲利佩基·J., Hyla M., Kozdras A. 纳米级表征 用PAL技术研究类玻璃As2Se3半导体的扩展缺陷. Physica B, vol. 340-342, 2003, p. 960-964.
  56. Shpotyuk O.科瓦尔斯基A.卡维茨基T.Golovchak R. 辐照后热刺激 某些三元硫系玻璃的回收. 光电与高级学报 材料、卷. 5, 2003年第5期，p. 1169-1179.
  57. Shpotyuk O.科瓦尔斯基A.卡维茨基T.Golovchak R., Popescu M. 化学相互作用 ï§-辐照诱导的含杂质的硫系玻璃半导体. 光电子学与先进材料杂志，卷. 5, 2003年第5期，p. 1181-1185.
  58. Filipecki J., Shpotyuk O.I., Kozdras A.科瓦尔斯基A. 原生正电子寿命研究 硫系玻璃中的空位样缺陷. 辐射物理与化学，卷. 68，第3-4期，2003,p. 557-559.
  59. Balitska V.Golovchak R.科瓦尔斯基A., Skordeva E., Shpotyuk O. Co60 ï§-辐照效应 As-Ge-S玻璃光学性质的研究. 非结晶固体杂志，卷. 326-327, 2003, p. 130-134.
  60. Shpotyuk O.Golovchak R., Kovalsky A.卡维茨基T. 时间和温度稳定性 辐射诱导三元硫系玻璃光学性质变化的研究 半导体系统. 功能材料，卷. 10, 2003年第2期，p. 317-322. 
  61. Kovalskiy A.卡维茨基T., Plewa J., Shpotyuk O. 辐射诱发的解释 用自由体积法和共价法研究了锗锑硫系硫系玻璃中的各种现象 化学键概念. 固态现象，卷. 90-91, 2003, p. 241-246.
  62. Shpotyuk O.菲利佩基·J., Kozdras A.科瓦尔斯基A. 协调positron-trapping 玻璃体硫族半导体的中心. 物理状态固体C卷. 0, 2003年第2期，p. 795-798.
  63. Shpotyuk O.菲利佩基·J.Golovchak R.科瓦尔斯基A., Hyla M. 正电子的应用 硫族化物中ï§-辐照应力的湮灭寿命技术 玻璃半导体. 工程材料学报，2002,5. 4, No 8, p. 571-574.
  64. Shpotyuk O.Golovchak R.科瓦尔斯基A.Pamukchieva V., Skordeva E., Arsova D. On 玻璃体As2S3-GeS2中辐射诱导光学效应的机制. Ukrainian 物理光学学报，2002，第5期. 3, No 2, p. 134-143. 
  65. Shpotyuk O.科瓦尔斯基A. 辐射光学性质的组成趋势 硫族化物眼镜. 光电子与先进材料学报，2002,5. 4, No. 3, p. 751-762.
  66. Shpotyuk O.菲利佩基·J., Hyla M.科瓦尔斯基A.Golovchak R. 协调的缺陷 用正电子湮灭寿命研究硫系非晶半导体. 物理学报，2001,5. 308-310, p. 1011-1014.
  67. Shpotyuk O.科瓦尔斯基A., Mrooz O., Shpotyuk L., Pekhnyo V., Volkov S. Technological 尖晶石基CuxNi1-x-yCo2yMn2-yO4陶瓷的改性. 欧洲人杂志 陶瓷学会，2001,v ..21, p. 2067-2070.
  68. Mrooz O., Kovalski A.鲍格泽斯卡·J., Shpotyuk O., Vakiv M.B., Maciak J. 用于涌流保护的NTC热敏电阻的热电退化过程 电子电路. 微电子可靠性，2001,v. 41, p. 773-777.
  69. Butkiewicz B.Golovchak R.科瓦尔斯基A., Shpotyuk O., Vakiv M. 的问题 某些三元硫系玻璃中辐射诱导光学效应的弛豫. 辐射效应 & 固体中的缺陷，2001,5. 153, p. 211-219.
  70. Shpotyuk O.I.菲利佩基·J.Golovchak R.Ya.科瓦尔斯基A.P., Hyla M. Radiation-defects 用正电子湮没技术研究非晶态As-Ge-S. 光电学报 与先进材料，2001,v. 3, No 2, p. 329-332.
  71. Shpotyuk O.I., Kavetsky T.S.科瓦尔斯基A.P., Lutciv R.V.Pamukchieva V.D. 辐射诱导 GexSb40-xS60系统玻璃半导体的透光率变化. 乌克兰物理学报，2001，第5期. 46, No 4, p. 495-498.
  72. Kovalskiy A. 无定形三元体系中ï§诱导光学效应的特性 硫族化物半导体. 光电学报，2001， v. 3, No 2, p. 323-327.
  73. Shpotyuk O., Hadzaman I., Mrooz O.科瓦尔斯基A., Vakiv M. 微观特征 电路电流保护用含锰氧化物陶瓷. 实用金相，2001,5. 32, p. 209-212.
  74. Shpotyuk O.I.Golovchak R.Ya.科瓦尔斯基A.P., Vakiv M.M.Pamukchieva V.D., Arsova D.D., Skordeva E.R. As2S3-GeS2半导体玻璃的辐射光学效应. 玻璃物理与化学，2001,5. 42, No 2, p. 95-98.
  75. Shpotyuk O., Vakiv M.科瓦尔斯基A.P., Skordeva E., Vateva E.Pamukchieva V., Golovchak R., Lutciv R. 锗砷硫化物玻璃的辐射诱导效应. 玻璃物理 与化学，2000,v. 26, No 3, p. 374-380. 
  76. Skordeva E., Arsova D.Pamukchieva V., Vateva E.Golovchak R.科瓦尔斯基A.P., Shpotyuk O. ï§诱导的Ge-As-S玻璃的变化. 光电与高级学报 材料，2000，第5期.2, No 3, p. 259-266.
  77. Vynnik I.B., Dunets B.V., Kovalsky A.P. 具有智能的陶瓷湿敏元件 信息参数测试仪. 功能材料，2000,5. 7, no 2, p. 319-322.
  78. Shpotyuk O.I.Golovchak R.Ya., Kavetsky T.S.科瓦尔斯基A.P., Vakiv M.M. Radiation-optical 玻璃态Ge-As(Sb)-S体系中的效应. 物理中的核仪器和方法 研究部分B -光束与材料的相互作用 & 原子，2000,v. 166-167, p. 517-520.
  79. Kovalskiy A.P., Shpotyuk O.I., Hadzaman I.V., Mrooz O.Ya., Vakiv M.M. 的影响 §-辐照对尖晶石基氧化物陶瓷电物理性能的影响. Nuclear B束与材料相互作用的物理研究仪器与方法 & 原子，2000,v. 166-167, p. 289-292.
  80. Kavetskyy T.S.科瓦尔斯基A.P.Pamukchieva V.D., Shpotyuk O.I. 红外杂质吸收 在Sb2S3-GeS2(Ge2S3)硫系玻璃中. 红外物理 & 技术，2000,v. 41, p. 41-45.
  81. Shpotyuk O.I.科瓦尔斯基A.P., Skordeva E., Vateva E., Arsova D.Golovchak R.Ya., Vakiv M.M. γ辐照对geexas40 - xs60玻璃光学性能的影响. Physica B. 凝聚态物质，1999，第5期.271, p. 242-247.
  82. Shpotyuk O.I., Skordeva E.Golovchak R.Ya.Pamukchieva V.科瓦尔斯基A.P. Radiation-stimulated As2S3-Ge2S3硫系玻璃透射率的变化. 应用光谱学杂志， 1999, v.66, No 5, p. 657-660. 
  83. Shpotyuk O.I., Vakiv M.M.马特科夫斯基A.O., Kovalski A.P. 辐射诱导顺 非晶硫族半导体的中心. 光电工程，1997,V ..5, No 1, p. 39-41.
  84. Hadzaman I.V., Kovalsky A.P., Mrooz O.Ya., Shpotyuk O.I. 陶瓷的热改性 含锰立方尖晶石复合材料. 材料通讯，1996,V.29, p.195-198.
  85. Shpotyuk O.I.马特科夫斯基A.O., Kovalsky A.P., Vakiv M.M.辐射诱导的变化 非晶As2S3的物理性质. 固体中的辐射效应和缺陷，1995， v. 133, No 1, p. 1-4.
  86. Shpotyuk O.I., Kovalsky A.P., Vakiv M.M., Mrooz O.Ya. 可逆辐射效应 在玻璃体中. 1. 物理性质的变化. 物理现状A, 1994， v. 144, No 2, p. 277-283.